SK하이닉스,4배 빠른 초고속 메모리 개발

[글로벌이코노믹=정소현 기자] SK하이닉스가 기존보다 4배이상 빠르고 전력소비를 40% 절감한 초고속 메모리를 개발했다고 26일 밝혔다.

이 회사가 새롭게 개발한 신제품은 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용한 고성능, 저전력, 고용량 D램 제품이다. TSV 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 방식으로 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 제품 표준화를 진행 중에 있다.
이 제품은 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망이다. 이 회사는 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단으로 쌓았으며 기술적 검증을 위해 그래픽 분야 선두 업체인 AMD와 공동 개발을 진행했다.

내년 상반기 중 샘플을 고객들에게 전달하고 HBM을 시스템온칩(SoC)과 같이 탑재해 한 시스템을 이루는 형태로 공급할 계획이다. 본격적인 HBM 양산은 내년 하반기로 예상된다.