삼성전자가 차세대 인터페이스를 적용해 업계 최고 속도를 구현한 '256Gb 5세대 V낸드'를 본격 양산한다고 10일 밝혔다.
또한 단수를 올리는데 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20%나 낮추며 4세대 제품 대비 생산성을 30% 이상 높였다.
5세대 낸드는 초고속·저전압 동작 회로 설계 기술이 적용돼 데이터의 입출력 속도가 4세대 V낸드 대비 1.4배 빠르다. 동작 전압은 33%를 낮춰 4세대와 동일 수준의 소비 전력량으로도 최고성능을 구현한다.
5세대 V낸드는 데이터 쓰는 시간이 역대 최단 수준인 500μs(마이크로 초)로 4세대 V낸드보다 30%나 빨라졌다. 고속 쓰기와 최단 읽기 응답 대기시간 회로 설계 기술이 적용된 덕분이다.
이번 5세대 V낸드 양산으로 삼성전자는 업계와의 격차를 더 벌이게 됐다.
삼성전자는 2013년 8월 세계 최초로 1세대 V낸드(24단·128Gb)를 생산한 후 이듬해 5월에는 2세대(32단·128Gb) V낸드를 개발했다. 2015년 8월 3세대(48단·256Gb) V낸드, 2016년 12월 4세대(64단·256Gb) V낸드를 연달아 내놓으며 ‘초격차’ 전략을 유지했다.
경계현 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "향후 1Tb와 QLC 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 더욱 가속화할 것"이라고 밝혔다.
오소영 기자 osy@g-enews.com